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產品中心環(huán)境氣體檢測儀器GVZ-4模擬靜電場描繪儀
模擬靜電場描繪儀
產品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
模擬靜電場描繪儀 型號：GVZ-4
模擬靜電場描繪儀
主要技術參數：
1. 和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規(guī)格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節(jié)電壓，調節(jié)細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
主要技術參數：
1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內置四種電**
（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規(guī)格為1mm.
4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節(jié)電壓，調節(jié)細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
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